在新能源汽车、工业电源及储能系统等高端电力电子领域，碳化硅（SiC）功率器件正以其卓越的高频、高压、高温性能，引领着一场深刻的能源效率革命。然而，这一核心器件的供应链，尤其是代表先进制造水平的8英寸车规级产线，长期由国际巨头主导。近日，一则来自投资者互动平台的消息，为中国半导体产业突破这一关键壁垒带来了振奋人心的实质性进展。三安光电披露，其与全球半导体巨头意法半导体（STMicroelectronics）合资设立的安意法半导体（重庆）有限公司已完成多款产品验证，正式进入风险量产阶段。这不仅意味着一个总投资额高达230亿元的庞大项目正按计划稳步推进，更标志着国内首条8英寸车规级碳化硅功率器件产线取得了从实验室技术通向规模化商业应用的决定性一步，为高端核心器件的国产自主可控注入了强劲动能。
回溯这一合资项目的诞生，其战略意义从一开始就清晰而深远。安意法半导体成立于2023年8月，由三安光电通过全资子公司持股51%，意法半导体持股49%。这一股权结构体现了“市场换技术”与深度绑定的合作模式：三安光电作为国内化合物半导体领域的领军企业，主导项目运营并获取制造经验；而意法半导体则将获得一条位于中国、由其部分控股的8英寸SiC芯片独家供应渠道，巩固其在全球汽车电子等市场的领先地位。合资公司的核心定位，正是专注于8英寸车规级SiC功率器件的外延生长与芯片制造这两个价值最高、技术最密集的核心环节。其产品将全部独家供应给意法半导体，最终应用于新能源汽车电驱系统、车载充电器、工业电源及储能变流器等对可靠性和性能要求极端严苛的领域。
一个总投资约230亿元、规划年产48万片8英寸碳化硅晶圆的超级项目，其成功绝非一蹴而就。令人瞩目的是，整个项目展现了惊人的“中国速度”与清晰的推进逻辑。2023年6月签约奠基，9月即开工建设；2024年9月，三安光电在重庆同园区投资70亿元建设的8英寸碳化硅衬底生产线率先建成投产，为合资公司提供了至关重要的本土化、高品质衬底材料配套，打通了从衬底到外延、芯片的垂直整合关键一环。进入2025年，节奏进一步加快：2月，安意法项目正式“通线”，意味着产线贯通，开始进行工艺调试和试生产；随后历经数月的严格可靠性验证，终于在12月成功迈入“风险量产”这一关键里程碑。这一系列紧凑而扎实的步骤，显示出项目团队卓越的执行力与对技术路线的充分信心。
“风险量产”对于行业外人士或许是个陌生术语，但在半导体制造业中，这是一个极具分水岭意义的阶段。它位于小批量工程验证与大规模商业化量产之间，核心任务已不再是验证设计或工艺的基本可行性，而是要在扩大生产规模的过程中，系统性地暴露、识别并解决所有潜在的工艺稳定性、产品良率波动以及长期可靠性问题。简单来说，就是要在模拟真实量产环境的情况下，进行一场全方位的“压力测试”和“问题排查”。这一阶段产出的芯片，将以验证性交付和小批量供应的形式，交付给意法半导体这样的顶级客户进行更为严苛的系统级测试与应用验证。只有平稳度过风险量产期，确保产品性能、良率、成本完全达到商业化要求，项目才能最终驶向规划中的大规模量产轨道，并朝着2028年实现满产的目标坚实迈进。
因此，安意法项目进入风险量产，其意义远超一个工厂节点的达成。首先，它标志着中国在第三代半导体最前沿的8英寸车规级制造能力上取得了零的突破，开始具备与国际一线厂商同台竞技的硬件基础。其次，通过与意法半导体的深度捆绑，中国制造的高端SiC芯片将直接导入全球顶级汽车电子供应链，这既是对中国制造质量的最高认可，也是中国半导体产业融入并影响全球价值链的关键一步。最后，项目的成功将带动国内从衬底材料、设备到设计封测的整个碳化硅产业链加速成熟，形成强大的产业集群效应。
展望未来，随着安意法半导体风险量产工作的深入推进，以及后续产能的逐步释放，中国新能源汽车等战略新兴产业将获得一条更自主、更稳定、更具成本竞争力的核心功率器件供应链保障。这不仅关乎产业安全，更关乎在全球绿色能源革命中抢占技术制高点的话语权。从这个角度看，重庆这条正在“闯关”的8英寸碳化硅产线，承载的已不仅仅是一家合资公司的商业成功，更是中国高端制造业向产业链最顶端奋力攀登的一个缩影。当风险量产的火花最终转化为大规模量产的洪流，中国芯在功率半导体的舞台上，必将迎来更加璀璨的光芒。
